RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
69
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link