RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2994
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link