RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965684-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
69
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link