RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3336
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link