RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3305
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link