RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2619
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link