RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
75
Wokół strony -341% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3714
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link