RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2880
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link