RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
75
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3242
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link