RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3819
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link