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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3819
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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