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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3819
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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