RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
75
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
46
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2396
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link