RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
75
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2229
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link