RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
75
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2780
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link