RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Porównaj
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
37
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1795
3421
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link