RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1970
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link