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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.8
12.6
写入速度,GB/s
12.5
6.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
1970
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
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