RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1970
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link