RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
81
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
1651
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link