RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2039
2349
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link