RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
85
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2123
1118
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link