RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2118
3030
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link