RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2201
3147
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link