RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
59
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1954
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link