RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
59
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
59
Velocità di lettura, GB/s
13.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
1954
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link