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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
59
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1954
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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