RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
59
Autour de 56% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
59
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
1954
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link