RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1954
3731
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link