RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
40
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2125
3564
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link