RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1807
2782
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link