RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3726
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link