RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Porównaj
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
374
Wokół strony -1069% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
374
32
Prędkość odczytu, GB/s
0.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
269
2952
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link