RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
2436
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link