RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1548
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link