RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
4.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
96
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
6.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
992
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link