RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2982
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link