RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2888
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link