RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2384
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link