RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3697
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link