RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3083
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link