RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.5
17.5
写入速度,GB/s
8.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
3083
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link