RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3098
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link