RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1344
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link