RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston HP698651-154-MCN 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2003
2413
Kingston HP698651-154-MCN 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link