RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
69
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14900
Wokół strony 1.14 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
45
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
17000
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
2036
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link