RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2466
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link