RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
78
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
78
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
1816
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link