RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2600
2502
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link