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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
35
读取速度,GB/s
14.4
15.1
写入速度,GB/s
9.8
9.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2600
2502
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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